Spinntransistor
Spinntransistor (lühend Spin-FET) on väljatransistor, milles kasutatakse elektroni spinni kvantmehaanilisi omadusi Rashba efekti raames. Tavalises väljatransistoris põhineb elektrisignaali salvestamine teatavasti elektrilaengul.
Spinntransistori lätte ja neelu elektroodid on ferromagneetikust, mis on ühesuunaliselt magneeditav. Lätte ja neelu vaheline elektronjuhtivusega kanal saab paisult polariseeritud spinniga pinge. See kutsub esile kanali elektronide spinni pretsessiooni, mis kandub kanali lõpuni. Paisule antava pingega saab muuta elektronide spinni orientatsiooni kanali lõpus vastupidiseks, võrreldes neelu magneetumusest põhjustatud orientatsiooniga. Seetõttu ei pääse elektronid kanalist neelu, mis tähendab kanali suurt takistust. Nii osutubki võimalikuks tüürida paisu elektriväljaga transistori lätte ja neelu vahelist takistust.
Spinntransistorid võivad leida kasutamist magnetilise püsimälu (MRAM) elementidena. Uurimistööd spinntransistoride alal alustati 1990. aastail Belli Laboratooriumides. ja seda jätkatakse mitmetes uurimisprojektides.